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RMATI
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N
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MRF5S19060MR1 MRF5S19060MBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical RF Performance
(50 ohm system)
Pulse Peak Power
(VDD
= 28 Vdc, 1-Tone CW Pulsed, I
DQ
= 750 mA, t
ON
= 8 μs,
1% Duty Cycle)
Psat
?
110
?
W
Video Bandwidth
(VDD
= 28 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 750 mA, Tone Spacing =
1 MHz to VBW, Δ
IM3<2dB)
VBW
?
35
?
MHz
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